Photolumineszenzscanner (SiC-Wafer)

Wir freuen uns, dass unser Beitrag zum Photolumineszenzscanner im Rahmen der Leistungselektronik Konferenz PCIM in Nürnberg mit dem Semikron Innovation Award 2016 ausgezeichnet wurde. Die Pressemitteilung finden Sie unter anderem hier.

Optimieren Sie Ihren Fertigungsprozess

Der Bedarf an aus SiC bestehenden Bauteilen hat sich in den letzten Jahren aufgrund der positiven Eigenschaften von SiC stark gesteigert. Trotz großer Verbesserungen der Materialqualität von 4H-SiC-Substraten und Epiwafern können kritische kristallographische Defekte wie Stapelfehler (SFs) und Basalflächenversetzungen (BPDs) weiterhin zu bipolarer Degradation und letztendlich zum Komplettausfall der Bauteile führen. In diesem Zusammenhang wurde in Zusammenarbeit mit dem Fraunhofer Institut IISB und weiteren Partnern aus der Industrie und dem akademischen Bereich im Jahr 2016 ein neuartiger Photolumineszenzscanner speziell zur Prüfung von SiC-Wafern entwickelt.

Der Scanner ermöglicht kurze Prüfzeiten, die nun erstmalig für industrielle Anwendungen geeignet sind. Bisherige Verfahren sind entweder nicht zerstörungsfrei (selektives Ätzen) oder enorm kostenintensiv (Synchrotron Röntgenstrahlung).

Leistungsumfang

Der neuartige Photolumineszenzscanner für SiC-Wafer bietet eine robuste Identifizierung der entscheidenden auftretenden kristallographischen Defekte. Hierbei wird ein spezieller UV Laser als Anregungsquelle (Wellenlänge 325 nm) in Kombination zu einer empfindlichen EMCCD Kamera verwendet.

• Die Eindringtiefe von 7 µm erlaubt die Identifizierung oberflächennaher Defekte parallel zu kristallographischen Defekten aus tieferliegenden Schichten.
• Die laterale Auflösung beträgt 5 µm.

Unser System ist für die Erkennung nachfolgender Defekte geeignet.

• Stapelfehler
• Basalflächenversetzungen
• Versetzungslinien

Weitere Möglichkeiten

Sollten Sie eine individuelle Lösung wünschen, bietet Intego kostenlose Voruntersuchungen auf Basis von Musterteilen an. Mit der Studie erhalten Sie ein Systemkonzept mit einer Preisabschätzung. Zögern Sie nicht, uns direkt zu kontaktieren.

Ein weiterer Bericht über unser Prüfsystem wurde in den EEtimes veröffentlicht.

Einen wissenschaftlichen Artikel mit Details zur SiC-Prüfung finden Sie hier.

PCO hat einen Anwenderbericht erstellt, zu finden hier.