Pyritte

PYRITTE - Realtime Growth Control

Simultane In-Situ Schichtdicken- u. Temperaturmessung

Sie stellen optische Bauelemente in MOVPE- oder MBE-Anlagen her? Sie möchten Schichtdicken auf 1 nm genau bestimmen und dabei auch die Wartetemperatur erfassen? Mit Pyritte bieten wir Ihnen ein System für hochpräzise und simultane In-Situ Schichtdicken- und Temperaturmessung. Sie finden hier auch allgemeine Grundlagen zur Interferometrie und zur Pyrometrie in Vakuumanlagen.

Bei der Herstellung optischer Bauelemente müssen die Schichtdicken der aufgebrachten Einzelschichten (üblicherweise einige hundert) exakt überwacht werden. Daneben ist die präzise Einhaltung der vorgegebenen Wafertemperatur zu kontrollieren. Das System Pyritte eignet sich insbesondere bei der Herstellung von LED und Laserdioden auf optisch undurchsichtigen Substraten (GaAs, InP). Es wird sowohl im MOVPE- als auch im MBE-Bereich eingesetzt.

Pyritte multi wafer II ist eine speziell auf die Erfordernisse von modernen Multi-Wafer Produktionsanlagen ausgelegte Weiterentwicklung des bekannten Pyritte Systems. Die Messwerterfassung kann individuell für jeden einzelnen Wafer eines Suszeptors vorgenommen werden. Zur komfortablen Fernüberwachung des Fertigungsprozesses können die aktuellen Messdaten am Bürorechner über Netzwerk angezeigt werden.

Wachstumskontrolle in Echtzeit

Aus interferenzbedingten Schwankungen der Wafer-Reflektivität während des Schichtwachstums lassen sich Schichten dicker als 40 nm auf 1 nm genau bestimmen. Durch seine zwei Reflektivitätsmesszweige mit Messwellenlängen 450 nm und 950 nm ist Pyritte für dünne und dicke Schichten geeignet. Im Zusammenspiel mit dem Steuerungsrechner der Anlage kontrolliert Pyritte das Aufwachsen der Einzelschichten und erlaubt die Echtzeitdiagnose des Abschneidungsprozesses.

Das zur Temperaturmessung eingesetzte patentierte Prinzip der reflexionsunterstützten Pyrometrie weist gegenüber konventionellen Pyrometern eine erheblich verbesserte Genauigkeit auf. Hierbei wird die interferenzbedingte Reflektivitätsvariation des Wafers während der Beschichtung mitgemessen und bei der Temperaturberechnung berücksichtigt.

Lieferumfang

• Basiseinheit mit abgesetzter Optik
  
  Abstand Optikkopf - Basiseinheit: 1,8 Meter
• Abstand Basisgerät - PC bis 100 m
• PC mit Schnittstelle für die Kommunikation mit der Anlagensteuerung
• Standardbefestigung: Viewportadapter für 1.33"-Flansch

Voraussetzungen für den Einsatz

• Substratmaterial: GaAs, SiGe, InP und andere im Arbeitstemperaturbereich bei den Messwellenlängen undurchsichtige Materialien
• Anlagentypen: MBE oder MOVPE
• Viewport mit mind. 13 mm freiem Querschnitt senkrecht zur Probe Abstand Viewport - Wafer: < 500mm
• Winkel-Encoder-Signale für Multi-Wafer-Anlagen
• Digitale Steuersignale für Schichtstart und Schichtstopp

Datenblatt PYRITTE Schichtdicken- und Temperaturmessung